BUK9M31-60ELX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details BUK9M31-60ELX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 70.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70.2W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9M31-60ELX nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BUK9M31-60ELX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 70.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V euEccn: NLR Verlustleistung: 70.2W Bauform - Transistor: LFPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M31-60ELX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V euEccn: NLR Verlustleistung: 70.2W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M31-60ELX | Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 35A |
auf Bestellung 1523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M31-60ELX | Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
auf Bestellung 2513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9M31-60ELX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70.2W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 70.2W
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Verlustleistung: 70.2W
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 114+ | 2.2 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 179+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| BUK9M31-60ELX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 70.2W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70.2W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 114+ | 2.2 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 179+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| BUK9M31-60ELX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 35A
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 35A
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.4 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 1500+ | 0.55 EUR |
| 3000+ | 0.5 EUR |
| BUK9M31-60ELX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 2.23 EUR |
| 100+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |