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BUK9M52-40EX

BUK9M52-40EX Nexperia

2038803936447552buk9m52-40e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details BUK9M52-40EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia 2038803936447552buk9m52-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia 2038803936447552buk9m52-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia 2038803936447552buk9m52-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M52-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia BUK9M52-40E.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 53 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
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250+0.53 EUR
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1000+0.34 EUR
1500+0.30 EUR
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : NEXPERIA PHGL-S-A0001843346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : NEXPERIA PHGL-S-A0001843346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK9M52-40EX Hersteller : NXP BUK9M52-40E.pdf 2xN-MOSFET 40V 17.6A5V,10V 31W AUTOMOTIVE BUK9M52-40EX TBUK9m52-40ex
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Mindestbestellmenge: 4
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia 2038803936447552buk9m52-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia 2038803936447552buk9m52-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : NEXPERIA 2038803936447552buk9m52-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M52-40EX Hersteller : NEXPERIA BUK9M52-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 70A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M52-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M52-40EX Hersteller : NEXPERIA BUK9M52-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 70A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
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