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BUK9M52-40EX

BUK9M52-40EX Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK9M52-40EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 31W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Nexperia 2038803936447552buk9m52-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M52-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M52-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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50+0.84 EUR
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX Nexperia BUK9M52-40E.pdf MOSFETs BUK9M52-40E/SOT1210/mLFPAK
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX NEXPERIA PHGL-S-A0001843346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
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111+2.26 EUR
207+1.13 EUR
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX NEXPERIA PHGL-S-A0001843346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
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BUK9M52-40EX BUK9M52-40EX NXP info-tbuk9m52-40ex.pdf 2xN-MOSFET 40V 17.6A5V,10V 31W AUTOMOTIVE BUK9M52-40EX TBUK9m52-40ex
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Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M52-40EX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs BUK9M52-40E/SOT1210/mLFPAK
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3000+0.42 EUR
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BUK9M52-40EX PHGL-S-A0001843346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9M52-40EX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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207+1.13 EUR
235+0.92 EUR
274+0.79 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BUK9M52-40EX PHGL-S-A0001843346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9M52-40EX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M52-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 17.6 A, 0.0324 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 17.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0324ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BUK9M52-40EX
Hersteller: NXP
2xN-MOSFET 40V 17.6A5V,10V 31W AUTOMOTIVE BUK9M52-40EX TBUK9m52-40ex
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke
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