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BUK9M5R0-40HX

BUK9M5R0-40HX Nexperia

BUK9M5R0-40H.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 30 V, 5.2 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
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Technische Details BUK9M5R0-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.005 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M5R0-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0009973852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.005 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0009973852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.005 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
auf Bestellung 650 Stücke:
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BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX Hersteller : Nexperia pgurl_7690483717649401.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9M5R0-40HX Hersteller : NEXPERIA pgurl_7690483717649401.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M5R0-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M5R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61.7A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M5R0-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M5R0-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M5R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61.7A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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