
BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1500+ | 0.49 EUR |
3000+ | 0.43 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 0.0088 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9Y12-40E,115 nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.11 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 2560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
BUK9Y12-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |