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BUK9Y19-55B,115 Transistor

Name: BUK9Y19-55B,115
Brand: Nexperia
SKU: 2419512-5
Price: 166.50 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 192495

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Hersteller:
Gehäuse: SOT-669
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 32 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 16,3 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1494/18
Montage: SMD

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BUK9Y19-55B,115

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 110696 Stücke:

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370+	0.54 EUR

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BUK9Y19-55B,115

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 4500 Stücke:

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1500+	0.71 EUR
3000+	0.68 EUR
4500+	0.65 EUR

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Nexperia

Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 4500 Stücke:

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1500+	0.73 EUR
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4500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK9Y19-55B,115

NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 218 Stücke:

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60+	1.43 EUR
86+	1 EUR
96+	0.89 EUR
103+	0.83 EUR

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BUK9Y19-55B,115

Nexperia

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323+	2.05 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.64 EUR
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BUK9Y19-55B,115

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 3206 Stücke:

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81+	2.18 EUR
118+	1.48 EUR
169+	1.01 EUR
500+	0.7 EUR
1500+	0.65 EUR
3000+	0.62 EUR

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BUK9Y19-55B,115

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 3206 Stücke:

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81+	2.18 EUR
118+	1.44 EUR
169+	0.96 EUR
500+	0.65 EUR
1500+	0.61 EUR
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BUK9Y19-55B,115

Nexperia

MOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK

auf Bestellung 40993 Stücke:

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2+	2.89 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.96 EUR
1500+	0.87 EUR
3000+	0.77 EUR

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BUK9Y19-55B,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.93 EUR
12+	1.86 EUR
100+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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BUK9Y19-55B,115

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm

auf Bestellung 13109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BUK9Y19-55B,115

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm

auf Bestellung 13109 Stücke:

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Anzahl	Privatkunde
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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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3000+	0.68 EUR
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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 4500 Stücke:

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3000+	0.67 EUR
4500+	0.63 EUR

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 218 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
60+	1.43 EUR
86+	1 EUR
96+	0.89 EUR
103+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Anzahl	Privatkunde
323+	2.05 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.64 EUR
10000+	1.43 EUR

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Anzahl	Privatkunde
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118+	1.48 EUR
169+	1.01 EUR
500+	0.7 EUR
1500+	0.65 EUR
3000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 3206 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
81+	2.18 EUR
118+	1.44 EUR
169+	0.96 EUR
500+	0.65 EUR
1500+	0.61 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia
MOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK

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10+	1.83 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.96 EUR
1500+	0.87 EUR
3000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
8+	2.93 EUR
12+	1.86 EUR
100+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm

auf Bestellung 13109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BUK9Y19-55B,115

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm

auf Bestellung 13109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH