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BUK9Y19-55B,115

BUK9Y19-55B,115 Nexperia

1502318521868765buk9y19-55b.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details BUK9Y19-55B,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : Nexperia 1502318521868765buk9y19-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9Y19-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9Y19-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : NEXPERIA BUK9Y19-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 184A
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 17.3mΩ
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : NEXPERIA BUK9Y19-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 184A
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 17.3mΩ
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Produktcode: 192495
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BUK9Y19-55B.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-669
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : Nexperia BUK9Y19-55B.pdf MOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : NEXPERIA 2341444.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : NEXPERIA BUK9Y19-55B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Hersteller : NEXPERIA 1502318521868765buk9y19-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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