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BUK9Y19-75B,115

BUK9Y19-75B,115 NEXPERIA

BUK9Y19-75B.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 34.1A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
40+1.8 EUR
54+1.34 EUR
60+1.2 EUR
100+1.12 EUR
250+1.07 EUR
500+0.97 EUR
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Technische Details BUK9Y19-75B,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: SC-100, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BUK9Y19-75B,115 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BUK9Y19-75B,115 BUK9Y19-75B,115 Nexperia BUK9Y19-75B.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 75V 48.2
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.54 EUR
100+1 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
1500+0.73 EUR
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BUK9Y19-75B,115 BUK9Y19-75B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y19-75B.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
11+1.74 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
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BUK9Y19-75B,115 BUK9Y19-75B,115 NEXPERIA BUK9Y19-75B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 75V 48.2
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10+1.54 EUR
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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