Technische Details BUK9Y25-80E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK9Y25-80E,115 nach Preis ab 0.48 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BUK9Y25-80E,115 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 256500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | Nexperia |
MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET |
auf Bestellung 70343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y25-80E,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 256500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.55 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 0.61 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.61 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.61 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 251+ | 0.7 EUR |
| 268+ | 0.63 EUR |
| 269+ | 0.61 EUR |
| 274+ | 0.57 EUR |
| 279+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET
MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET
auf Bestellung 70343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.71 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 277+ | 0.9 EUR |
| 285+ | 0.81 EUR |
| 286+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| 5000+ | 0.67 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 263+ | 0.95 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 287+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 5000+ | 0.65 EUR |
| BUK9Y25-80E,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)