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BUK9Y29-40E,115 Nexperia USA Inc.

Name: BUK9Y29-40E,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 3679218-3
Price: 435.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Technische Details BUK9Y29-40E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 37W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm.

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BUK9Y29-40E,115

Nexperia

Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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BUK9Y29-40E,115

Nexperia

Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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BUK9Y29-40E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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BUK9Y29-40E,115

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MOSFETs BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK

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BUK9Y29-40E,115

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

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NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

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106+	2.38 EUR
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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: Nexperia
MOSFETs BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK

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Anzahl	Privatkunde
3+	1.48 EUR
10+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
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1000+	0.38 EUR
1500+	0.35 EUR
3000+	0.31 EUR

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

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Anzahl	Privatkunde
106+	2.38 EUR
169+	1.38 EUR
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500+	0.63 EUR
1000+	0.55 EUR

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BUK9Y29-40E,115

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
106+	2.38 EUR
169+	1.38 EUR
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