Technische Details BUK9Y40-55B,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9Y40-55B,115 nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BUK9Y40-55B,115 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y40-55B,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y40-55B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y40-55B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y40-55B,115 | Nexperia |
MOSFETs BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 3503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y40-55B,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1559+ | 0.43 EUR |
| BUK9Y40-55B,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.6 EUR |
| 3000+ | 0.55 EUR |
| 4500+ | 0.52 EUR |
| BUK9Y40-55B,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.8 EUR |
| 180+ | 1.3 EUR |
| 244+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| BUK9Y40-55B,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 127+ | 1.98 EUR |
| 189+ | 1.23 EUR |
| 274+ | 0.79 EUR |
| BUK9Y40-55B,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK
MOSFETs BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 1500+ | 0.58 EUR |
| 3000+ | 0.49 EUR |
| BUK9Y40-55B,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.2 EUR |
| 16+ | 1.38 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |