| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.22 EUR |
| 10+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 1500+ | 0.87 EUR |
| 3000+ | 0.86 EUR |
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Technische Details BUK9Y4R4-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Weitere Produktangebote BUK9Y4R4-40E,115 nach Preis ab 1.08 EUR bis 5.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BUK9Y4R4-40E,115 | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y4R4-40E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
auf Bestellung 3502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y4R4-40E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.55 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 160+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| BUK9Y4R4-40E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.7 EUR |
| 69+ | 3.42 EUR |
| 110+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |