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BUK9Y59-60E,115

BUK9Y59-60E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y59-60E.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Technische Details BUK9Y59-60E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9Y59-60E,115 BUK9Y59-60E,115 Nexperia 3006075709770818buk9y59-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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BUK9Y59-60E,115 BUK9Y59-60E,115 Nexperia 3006075709770818buk9y59-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y59-60E,115 BUK9Y59-60E,115 Nexperia 3006075709770818buk9y59-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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383+0.45 EUR
386+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
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BUK9Y59-60E,115 BUK9Y59-60E,115 Nexperia 3006075709770818buk9y59-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y59-60E,115 BUK9Y59-60E,115 Nexperia BUK9Y59-60E.pdf MOSFETs BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK
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BUK9Y59-60E,115 BUK9Y59-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y59-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
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BUK9Y59-60E,115 BUK9Y59-60E,115 NEXPERIA BUK9Y59-60E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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182+1.38 EUR
213+1.09 EUR
317+0.68 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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