BUK9Y8R7-60E,115 Nexperia
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Technische Details BUK9Y8R7-60E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9Y8R7-60E,115 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.39 EUR
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 2424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| BUK9Y8R7-60E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
BUK9Y8R7-60E.115 SMD N channel transistors |
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