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Technische Details BUL1102E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 2 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, rohsCompliant: YES, Verlustleistung: 70W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), euEccn: NLR, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, Übergangsfrequenz: -MHz, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebstemperatur, max.: 150°C, usEccn: EAR99, Dauer-Kollektorstrom: 2A.
Weitere Produktangebote BUL1102E nach Preis ab 1.03 EUR bis 3.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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BUL1102E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Bipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor |
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BUL1102E | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 2 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: -MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 2A |
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| BUL1102E | Hersteller : STMicroelectronics |
BUL1102E NPN THT transistors |
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