BUL1102EFP STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor
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Technische Details BUL1102EFP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102EFP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 4 A, 30 W, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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BUL1102EFP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 450V 4A TO-220FP |
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BUL1102EFP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102EFP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 4 A, 30 W, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUL1102EFP Produktcode: 180687 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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| BUL1102EFP | Hersteller : STMicroelectronics |
BUL1102EFP NPN THT transistors |
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