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BUL128 ST

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Hersteller: ST
TO-220 07+
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Technische Details BUL128 ST

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220, Power - Max: 70 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TO-220, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUL128 BUL128 STMicroelectronics BUL128.pdf description Description: TRANS NPN 400V 4A TO220
Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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BUL128 onsemi / Fairchild BUL128.pdf description Bipolar Transistors - BJT
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BUL128 BUL128 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000982.pdf description Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
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BUL128 description BUL128.pdf
BUL128
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 400V 4A TO220
Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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BUL128 description BUL128.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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BUL128 description stmicroelectronics_cd00000982.pdf
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
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