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BUL146
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Technische Details BUL146
Description: TRANS NPN 400V 6A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 14MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 100 W.
Weitere Produktangebote BUL146
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BUL146 | onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 950 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BUL146 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 400V 100W NPN |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUL146 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
Description: TRANS NPN 400V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 6A 400V 100W NPN
Bipolar Transistors - BJT 6A 400V 100W NPN
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