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BUL216

BUL216 STMicroelectronics

11723cd00000009.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details BUL216 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BUL216 BUL216 Hersteller : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL216 BUL216 Hersteller : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL216 BUL216 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2E01820&compId=bul216.pdf?ci_sign=1982fb1e886850646d005c22ec8bf09eb60a9fc1 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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27+2.67 EUR
54+1.33 EUR
117+0.61 EUR
122+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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BUL216 BUL216 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2E01820&compId=bul216.pdf?ci_sign=1982fb1e886850646d005c22ec8bf09eb60a9fc1 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
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BUL216 BUL216 Hersteller : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL216 BUL216 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000009.pdf Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 90 W
auf Bestellung 999 Stücke:
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4+5.35 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BUL216 BUL216 Hersteller : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL216 BUL216 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS36724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 383 Stücke:
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BUL216 BUL216
Produktcode: 82997
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Hersteller : ST 1021_datasheet_bul216.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 800
Ucbo,V: 1600
Ic,A: 4
h21: 40
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