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BUL216

BUL216 ST

1021_datasheet_bul216.pdf
Produktcode: 82997
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 800 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1600 V
Kollektorstrom Ic, A: 4 A
Stromverstärkung h21: 40
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUL216 BUL216 STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUL216 BUL216 STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL216 BUL216 STMicroelectronics bul216.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Collector current: 4A
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.76 EUR
38+2.24 EUR
50+1.88 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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BUL216 BUL216 STMicroelectronics en.CD00000009.pdf Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 90 W
auf Bestellung 2872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
50+2.7 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BUL216 BUL216 STMicroelectronics en.CD00000009.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
auf Bestellung 5657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+2.87 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.8 EUR
5000+1.77 EUR
10000+1.73 EUR
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BUL216 BUL216 STMICROELECTRONICS en.CD00000009.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
69+3.42 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.09 EUR
5000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BUL216
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Collector current: 4A
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50+1.88 EUR
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Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 90 W
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.38 EUR
69+3.42 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
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