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BUL39D STMicroelectronics


Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 450V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details BUL39D STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - BUL39D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 2.5 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 10, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5, Verlustleistung: 70, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUL39D STMicroelectronics Description: TRANS NPN 450V 4A TO-220
Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 500mA, 2.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BUL39D onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT
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BUL39D BUL39D STMicroelectronics sgsts31169_1-2282490.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
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BUL39D BUL39D STMICROELECTRONICS 2307055.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BUL39D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 2.5 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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BUL39D
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 450V 4A TO-220
Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 500mA, 2.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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BUL39D
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUL39D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 2.5 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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