BUL654 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PTD IGBT & IPM
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Technische Details BUL654 STMicroelectronics

Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220, Power - Max: 80 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 6A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1.4A, 7A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUL654 STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 400V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUL654
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 400V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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