Technische Details BUT30V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BUT30V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 100 A, 250 W, ISOTOP, Modul, Transistormontage: Modul, DC-Stromverstärkung hFE: 27, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote BUT30V nach Preis ab 40.88 EUR bis 57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUT30V | STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 125V 100A 250000mW 4-Pin ISOTOP Tube |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUT30V | |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 125V 100A 250000mW 4-Pin ISOTOP Tube
Trans GP BJT NPN 125V 100A 250000mW 4-Pin ISOTOP Tube
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 57 EUR |
| 10+ | 45.23 EUR |
| 50+ | 40.88 EUR |