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BUZ11-NR4941

BUZ11-NR4941 ON Semiconductor

4513925598849966buz11.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details BUZ11-NR4941 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3770A345D5EA&compId=BUZ11.pdf?ci_sign=480bd9e80f6c319adc6605698b02b4ebbacc37a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941
Produktcode: 184234
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Gehäuse: TO-220AB
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : onsemi buz11-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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500+0.87 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.71 EUR
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : onsemi / Fairchild BUZ11-D.PDF MOSFETs N-Channel 50V 33A
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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BUZ11-NR4941 Hersteller : ON-Semicoductor buz11-d.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
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