BUZ30AHXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.31 EUR |
| 62+ | 2.77 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
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Technische Details BUZ30AHXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 21, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BUZ30AHXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
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BUZ30AHXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3 |
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BUZ30AHXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| BUZ30AHXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUZ30AHXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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| BUZ30AHXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
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| BUZ30AHXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| BUZ30AHXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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