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BUZ73A

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUZ73A BUZ73A Harris Corporation INFNS13891-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 18623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
472+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
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657+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
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Hersteller: Harris Corporation
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Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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