Weitere Produktangebote BUZ73A nach Preis ab 0.63 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BUZ73A | Hersteller : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUZ73A | Hersteller : HARRIS |
BUZ73A |
auf Bestellung 10370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUZ73A | Hersteller : HARRIS |
BUZ73A |
auf Bestellung 7993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUZ73A | Hersteller : INF |
TO-220 |
auf Bestellung 18350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ73A | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ73A | Hersteller : Infineon Technologies |
GaN FETs N-Ch 200V 5.5A TO220-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |



