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Technische Details BXK9Q29-60AJ Nexperia
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60AJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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BXK9Q29-60AJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60AJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BXK9Q29-60AJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60AJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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