
BXP12N65F BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 39nC
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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49+ | 1.49 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
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Technische Details BXP12N65F BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 7.7A, Power dissipation: 51W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 48A, Gate charge: 39nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BXP12N65F | Hersteller : BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.7A Power dissipation: 51W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Gate charge: 39nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP12N65F Produktcode: 203790
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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