BY12

BY12 Diotec Semiconductor


by4.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 12000V 0.5A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 12000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12000 V
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Technische Details BY12 Diotec Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 12000V 0.5A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 12000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 500 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12000 V.

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BY12 BY12 Hersteller : Diotec Semiconductor by4.pdf Description: DIODE GEN PURP 12000V 0.5A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 12000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12000 V
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