Technische Details BY25Q64ESSIG(R) BYTe Semiconductor
Послідовна енергонезалежна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 64 Мбіт, Орг. пам. = 8M x 8, Тдост/Частота = 11,5 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Очікується: 25 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
Weitere Produktangebote BY25Q64ESSIG(R) nach Preis ab 1.19 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BY25Q64ESSIG(R) | BYTe Semiconductor |
 Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP |
auf Bestellung 3156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BY25Q64ESSIG(R) |
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Hersteller: BYTe Semiconductor
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP
auf Bestellung 3156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.46 EUR |
| 16+ | 1.38 EUR |
| 25+ | 1.34 EUR |
| 50+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 250+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |