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BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR Vishay

byg10.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details BYG10D-E3/TR Vishay

Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYG10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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1051+0.14 EUR
1095+0.13 EUR
1141+0.12 EUR
1192+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 1011
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
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Mindestbestellmenge: 1800
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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Anzahl Preis
677+0.22 EUR
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1192+0.10 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 677
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
278+0.26 EUR
385+0.19 EUR
446+0.16 EUR
3600+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
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52+0.34 EUR
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500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt
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10+0.48 EUR
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010341383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010341383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R
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BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R
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