BYG10DHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BYG10DHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BYG10DHM3_A/I BYG10DHM3_A/I Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5A,200V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified
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Rectifiers 1.5A,200V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified
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