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BYG10J-E3/TR

BYG10J-E3/TR Vishay

byg10.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details BYG10J-E3/TR Vishay

Description: VISHAY - BYG10J-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYG10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBE1978A60C8E143&compId=byg10.pdf?ci_sign=786aa1d2095e285de37108acada76c8117458e6b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
209+0.34 EUR
341+0.21 EUR
428+0.17 EUR
481+0.15 EUR
575+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBE1978A60C8E143&compId=byg10.pdf?ci_sign=786aa1d2095e285de37108acada76c8117458e6b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
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6+0.48 EUR
11+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3600+0.15 EUR
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
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33+0.55 EUR
52+0.34 EUR
100+0.24 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : VISHAY byg10.pdf Description: VISHAY - BYG10J-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4758 Stücke:
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tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 4µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYG10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : Vishay byg10.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
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BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
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