BYG10J Diotec Semiconductor


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Hersteller: Diotec Semiconductor
Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details BYG10J Diotec Semiconductor

Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BYG10J BYG10J Diotec Semiconductor byg10d.pdf Rectifiers Diode, SMA, 600V, 1.5A
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BYG10J BYG10J Diotec Semiconductor byg10d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Bulk
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59+0.36 EUR
130+0.17 EUR
175+0.12 EUR
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1000+0.076 EUR
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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