BYG10MHE3_A/I Vishay General Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.04 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 2500+ | 0.24 EUR |
| 5000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details BYG10MHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BYG10MHE3_A/I nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BYG10MHE3_A/I | Vishay Semiconductors |
 Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 7380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BYG10MHE3_A/I |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 7380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 2+ | 1.42 EUR |
| 10+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 2500+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.28 EUR |