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Technische Details BYG22D-E3/TR Vishay
Description: VISHAY - BYG22D-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYG22, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote BYG22D-E3/TR nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 35A Leakage current: 10µA Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1800pcs. |
auf Bestellung 2098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 35A Leakage current: 10µA Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1800pcs. Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
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BYG22D-E3/TR Produktcode: 73603
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay Semiconductor |
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