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BYG23M-E3/TR

BYG23M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg23m.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Technische Details BYG23M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYG23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay doc88962.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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Anzahl Preis
749+0.19 EUR
804+0.17 EUR
866+0.15 EUR
940+0.14 EUR
1028+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 749
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659+0.22 EUR
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940+0.12 EUR
1028+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 659
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay doc88962.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : VISHAY byg23m.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.35V
Reverse recovery time: 75ns
Max. forward impulse current: 30A
Quantity in set/package: 1800pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
173+0.41 EUR
224+0.32 EUR
246+0.29 EUR
275+0.26 EUR
298+0.24 EUR
327+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : VISHAY byg23m.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.35V
Reverse recovery time: 75ns
Max. forward impulse current: 30A
Quantity in set/package: 1800pcs.
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR
Produktcode: 51448
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay doc88962.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor byg23m.pdf Rectifiers RECOMMENDED ALT BYG2
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23m.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010341312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYG23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5370 Stücke:
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010341312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYG23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay byg23m.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 94017 Stücke:
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay byg23m.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R
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BYG23M-E3/TR BYG23M-E3/TR Hersteller : Vishay doc88962.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG23M-E3\TR BYG23M-E3\TR Hersteller : Vishay Semiconductors Rectifiers 1.5A,1000V,75NS,FAST Avalanche,SMD
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