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BYG23M

BYG23M Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M_C2102.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
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Technische Details BYG23M Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYG23M BYG23M Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BYG23M_C2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
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BYG23M BYG23M Hersteller : Taiwan Semiconductor BYG23M_C2102.pdf Rectifiers 65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
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BYG23M BYG23M Hersteller : Taiwan Semiconductor byg23m_c2102.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R
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BYG23M BYG23M Hersteller : Taiwan Semiconductor byg23m_c2102.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG23M Hersteller : Vishay Semiconductors BYG23M_C2102.pdf Rectifiers 1.5A/1000V,75NS FAST AVALANCHE SMD
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BYG23M Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR BYG23M_C2102.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; SMA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
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