BYG23T-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1800+ | 0.2 EUR |
| 3600+ | 0.19 EUR |
| 12600+ | 0.18 EUR |
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Technische Details BYG23T-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYG23T-M3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 1.9 V, 75 ns, 18 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 18A, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.9V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYG23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BYG23T-M3/TR nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BYG23T-M3/TR | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1A 1300V High Volt Ultrafast |
auf Bestellung 13704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYG23T-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V |
auf Bestellung 15389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYG23T-M3/TR | VISHAY |
Description: VISHAY - BYG23T-M3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 1.9 V, 75 ns, 18 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 18A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 75ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 129715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BYG23T-M3/TR |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A 1300V High Volt Ultrafast
Rectifiers 1A 1300V High Volt Ultrafast
auf Bestellung 13704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| BYG23T-M3/TR |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Description: DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 0.67 EUR |
| 37+ | 0.48 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| BYG23T-M3/TR |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - BYG23T-M3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 1.9 V, 75 ns, 18 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.9V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYG23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - BYG23T-M3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 1.9 V, 75 ns, 18 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchlassspannung, max.: 1.9V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYG23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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