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BYM10-800-E3/97

BYM10-800-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bym10-xxx.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5000+0.18 EUR
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Technische Details BYM10-800-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

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BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Hersteller : Vishay General Semiconductor bym10-xxx.pdf Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
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25000+0.17 EUR
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BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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