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BYM10-800-E3/96

BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor

bym10-xxx.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
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Technische Details BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor

Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-213AB, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 830mV, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYM10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Hersteller : VISHAY bym10-xxx.pdf Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AB
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 830mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYM10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0012821916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AB
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 830mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BYM10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BYM10-800-E3/96 Hersteller : VISHAY bym10-xxx.pdf BYM10-800-E3/96 SMD universal diodes
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Produktcode: 67584
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BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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