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BYM11-600-E3/96

BYM11-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bym1150.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details BYM11-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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