BYM11-600-E3/97


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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden

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BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97 Vishay bym1150.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R
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BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97 Vishay bym1150.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R
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BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
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BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97 Vishay General Semiconductor bym1150.pdf Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated
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BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97 Vishay bym1150.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R
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1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
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BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97 Vishay bym1150.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R
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316+0.51 EUR
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BYM11-600-E3/97 BYM11-600-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
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27+0.8 EUR
34+0.63 EUR
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Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
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Technology: Standard
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Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
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Packaging: Cut Tape (CT)
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