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BYM12-200-E3/97

BYM12-200-E3/97 Vishay

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Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R
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Technische Details BYM12-200-E3/97 Vishay

Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-213AB, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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