
BYQ30E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details BYQ30E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Bulk |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
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BYQ30E-200,127 | Hersteller : Ween |
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