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BYT54M-TR

BYT54M-TR Vishay Semiconductors

byt54a.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1000 Volt 0.75 Amp 30 Amp IFSM
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Technische Details BYT54M-TR Vishay Semiconductors

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.25A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

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BYT54M-TR BYT54M-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt54a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.25A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYT54M-TR BYT54M-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt54a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.25A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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