| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 1.44 EUR |
| 135+ | 1.29 EUR |
| 250+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
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Technische Details BYT56M-TAP Vishay
Description: VISHAY - BYT56M-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.4 V, 100 ns, 80 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-64, Durchlassstoßstrom: 80A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.4V, Sperrverzögerungszeit: 100ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote BYT56M-TAP nach Preis ab 1.27 EUR bis 7.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BYT56M-TAP | Vishay |
 Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYT56M-TAP | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1000 Volt 3.0 Amp 80 Amp IFSM |
auf Bestellung 5997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYT56M-TAP | VISHAY |
Description: VISHAY - BYT56M-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.4 V, 100 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 80A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 100ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 24434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYT56M-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64 Supplier Device Package: SOD-64 Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: SOD-64, Axial Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYT56M-TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 80A; SOD64; Ufmax: 1.4V; 100ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Max. forward impulse current: 80A Case: SOD64 Kind of package: bulk; replacement packaging Max. forward voltage: 1.4V Reverse recovery time: 100ns |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BYT56M-TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 80A; SOD64; Ammo Pack; 100ns Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: SOD64 Mounting: THT Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 80A Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Reverse recovery time: 100ns |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BYT56M-TAP |
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Hersteller: Vishay
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 1.75 EUR |
| 104+ | 1.65 EUR |
| 250+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| 1250+ | 1.27 EUR |
| BYT56M-TAP |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1000 Volt 3.0 Amp 80 Amp IFSM
Rectifiers 1000 Volt 3.0 Amp 80 Amp IFSM
auf Bestellung 5997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.24 EUR |
| 10+ | 3.56 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.64 EUR |
| 1000+ | 2.39 EUR |
| 2500+ | 2.26 EUR |
| 5000+ | 2.23 EUR |
| BYT56M-TAP |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - BYT56M-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.4 V, 100 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-64
Durchlassstoßstrom: 80A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.4V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - BYT56M-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.4 V, 100 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-64
Durchlassstoßstrom: 80A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.4V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 24434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.79 EUR |
| 63+ | 3.74 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| BYT56M-TAP |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64
Supplier Device Package: SOD-64
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-64, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.16 EUR |
| 10+ | 4.68 EUR |
| 50+ | 3.62 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| BYT56M-TAP |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 80A; SOD64; Ufmax: 1.4V; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Max. forward impulse current: 80A
Case: SOD64
Kind of package: bulk; replacement packaging
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 100ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 80A; SOD64; Ufmax: 1.4V; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Max. forward impulse current: 80A
Case: SOD64
Kind of package: bulk; replacement packaging
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BYT56M-TAP |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 80A; SOD64; Ammo Pack; 100ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 100ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 80A; SOD64; Ammo Pack; 100ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)