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BYT56M-TR

BYT56M-TR Vishay

doc86032.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
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Technische Details BYT56M-TR Vishay

Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-64, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: SOD-64, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

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BYT56M-TR BYT56M-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt56a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Mindestbestellmenge: 3
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BYT56M-TR BYT56M-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt56a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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