BYV10MX-600PQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
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Technische Details BYV10MX-600PQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10MX-600PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 2 V, 45 ns, 110 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220F, Durchlassstoßstrom: 110A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2V, Sperrverzögerungszeit: 45ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote BYV10MX-600PQ nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.32 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BYV10MX-600PQ | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
 Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F |
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BYV10MX-600PQ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Rectifiers BYV10MX-600P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
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BYV10MX-600PQ | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10MX-600PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 2 V, 45 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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BYV10MX-600PQ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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BYV10MX-600PQ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 100A; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD113; TO220FP-2 Reverse recovery time: 35ns |
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