
BYV26A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Anzahl | Preis |
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Technische Details BYV26A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote BYV26A-TAP nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.24 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BYV26A-TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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BYV26A-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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BYV26A-TAP | Hersteller : Vishay |
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BYV26A-TAP | Hersteller : Vishay |
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BYV26A-TAP | Hersteller : Vishay |
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