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BYV26B-TR

BYV26B-TR Vishay

byv26.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R
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Technische Details BYV26B-TR Vishay

Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.

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BYV26B-TR BYV26B-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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BYV26B-TR BYV26B-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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