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BYV26E-TAP

BYV26E-TAP Vishay

byv26.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo
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Technische Details BYV26E-TAP Vishay

Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 2.5V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYV26, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo
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414+ 0.31 EUR
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo
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332+ 0.42 EUR
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : VISHAY byv26.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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116+ 0.62 EUR
120+ 0.6 EUR
145+ 0.49 EUR
277+ 0.26 EUR
293+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : VISHAY byv26.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: Ammo Pack
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay Semiconductors byv26.pdf Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
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10+ 0.65 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.38 EUR
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP
Produktcode: 26386 		Hersteller : NXP BYV26 series.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-57
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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27+ 0.66 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.36 EUR
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay byv26.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo
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BYV26E-TAP BYV26E-TAP Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo
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BYV26E-TAP Hersteller : Vishay Semiconductor byv26.pdf Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 2,5; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1000; trr, нс = 75; Тексп, °C = -55...+175; SOD-57
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3+2.65 EUR
10+ 2.2 EUR
100+ 1.86 EUR
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BYV26E-TAP Hersteller : Vishay Semiconductors byv26.pdf Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57
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